گروه مهندسی برق

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

بررسی ساختار الکترونیکی ماده دو بعدی تک لایهGaSeCl تحت اعمال تنش

ارائه دهنده:  امیر حسین سیفی زارعی

زمان:      30/7/1402                     ساعت: 11                                                    مکان: کلاس212 ساختمان اصلی

استاد راهنما: دکتر سید منوچهر حسینی                       مرتبه علمی:   استاد یار          دانشگاه: بوعلی سینا

استاد داور داخلی:  دکتر علیرضا کوکبی                        مرتبه علمی: استادیار             دانشگاه:صنعتی همدان

استاد داور خارجی:  دکتر قاسم علی پور                                   مرتبه علمی: استاد یار            دانشگاه:صنعتی همدان

چکیده:

در این پایان نامه، ماده دوبعدی GaSeCl تک لایه تحت اعمال کرنش مورد بررسی قرار می‌گیرد. این نوع ماده دارای ساختار بلوری دو بعدی است که تنها از یک لایه اتمی تشکیل شده است. خواص الکترونیکی این ماده، از جمله خواص الکتریکی و نوری آن، به‌طور گسترده مورد مطالعه قرار گرفته است. مفهوم اعمال تنش به ماده دوبعدی به این معناست که تغییراتی در ساختار فیزیکی آن ایجاد می‌شود. تنش می‌تواند به‌ صورت کشش یا فشار اعمال شود و باعث تغییر شکل و اندازه ماده می‌شود. این تغییرات در ساختار ماده می‌تواند تأثیر زیادی بر خواص الکترونیکی آن داشته باشد.در این پژوهش، ابتدا روش‌های تولید نمونه‌های ماده GaSeCl  تک لایه مورد بررسی قرار گرفته است. سپس، ابزارها و فنون مورد استفاده برای اعمال تنش به نمونه‌ها توضیح داده شده است. معمولاً این کار با استفاده از روش‌های مکانیکی یا حرارتی انجام می‌شود.سپس، خواص الکترونیکی ماده GaSeCl تحت تأثیر تنش بررسی شده است. به منظور اندازه‌گیری و تحلیل این خواص، از ابزارها و تجهیزات مناسب استفاده شده است. نتایج نشان می‌دهد که اعمال تنش می‌تواند خواص الکتریکی ماده را تغییر دهد. به‌عنوان مثال، می‌تواند تأثیر بر روی مقاومت الکتریکی و نورپردازی ماده داشته باشد. در پایان، توصیه‌ها و پیشنهاداتی برای کاربردهای عملی این تحقیق ارائه شده است. این پیشنهادات ممکن است شامل بهبود روش‌های تولید و کنترل تنش باشد و همچنین کاربردهای ممکن در دستگاه‌های الکترونیکی و نانوالکترونیکی را بررسی کند.به‌طور کلی، این پایان‌نامه بر اهمیت بررسی خواص الکترونیکی ماده دوبعدی GaSeCl تک لایه تحت اعمال تنش تأکید می‌کند و نتایج آن می‌تواند به توسعه صنایع الکترونیکی و نانوالکترونیکی کمک کند.

کلمات کلیدی:

ماده دوبعدی، GaSeCl، خواص الکترونیکی، تنش، خواص الکتریکی، دستگاه‌های الکترونیکی، نانوالکترونیکی.

​​​​​​​