تعداد بازدید: 1438

اطلاعیه دفاع دانشجوی کارشناسی ارشد – فرهاد حیدری

شناسه: 76430
اطلاعیه ها

اطلاعیه دفاع دانشجوی کارشناسی ارشد – فرهاد حیدری

بسمه تعالی

 

 

گروه مهندسی برق مدارهای مجتمع الکترونیک

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

 

مطالعه‌ی ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر نانو نوار تک لایه‌ی آنتیموان

 

ارائه دهنده : فرهاد حیدری

 

زمان : چهارشنبه ۱۳/۱۲/۹۹  ساعت ۱۱                                       مکان : http://lms.hut.ac.ir/devicedefence/

استاد راهنما : دکتر شعیب بابایی توسکی

مرتبه علمی : استادیار      دانشگاه : صنعتی همدان

     استاد داور داخلی : دکتر شهریار جاماسب                                استاد داور خارجی : دکتر منوچهر حسینی پیلانگرگی

مرتبه علمی : استادیار        دانشگاه : صنعتی همدان                 مرتبه علمی : استادیار           دانشگاه : بوعلی سینا             

                      

چکیده :

در این پایان‌نامه خواص الکترونیکی یک ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر تک لایه آنتیمونینه مورد مطالعه قرار می‌گیرد که از روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده می‌کنیم. پارامترهای مورد نیاز تابع گرین از روش بستگی سخت استفاده ‌شده است. با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی جریان ترانزیستور برحسب ولتاژ درین و گیت محاسبه می‌شود. دو نوع ترانزیستور مورد مطالعه قرارگرفته است که در یک حالت اسپین داخل سورس و درین با هم موازی و هم ‌جهت هستند و در حالت دیگر اسپین داخل سورس و درین با هم پاد موازی هستند.

تعداد بازدید: 1438

اطلاعیه دفاع دانشجوی کارشناسی ارشد – فرهاد حیدری

شناسه: 76430
اطلاعیه ها

اطلاعیه دفاع دانشجوی کارشناسی ارشد – فرهاد حیدری

بسمه تعالی

 

 

گروه مهندسی برق مدارهای مجتمع الکترونیک

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

 

مطالعه‌ی ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر نانو نوار تک لایه‌ی آنتیموان

 

ارائه دهنده : فرهاد حیدری

 

زمان : چهارشنبه ۱۳/۱۲/۹۹  ساعت ۱۱                                       مکان : http://lms.hut.ac.ir/devicedefence/

استاد راهنما : دکتر شعیب بابایی توسکی

مرتبه علمی : استادیار      دانشگاه : صنعتی همدان

     استاد داور داخلی : دکتر شهریار جاماسب                                استاد داور خارجی : دکتر منوچهر حسینی پیلانگرگی

مرتبه علمی : استادیار        دانشگاه : صنعتی همدان                 مرتبه علمی : استادیار           دانشگاه : بوعلی سینا             

                      

چکیده :

در این پایان‌نامه خواص الکترونیکی یک ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر تک لایه آنتیمونینه مورد مطالعه قرار می‌گیرد که از روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده می‌کنیم. پارامترهای مورد نیاز تابع گرین از روش بستگی سخت استفاده ‌شده است. با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی جریان ترانزیستور برحسب ولتاژ درین و گیت محاسبه می‌شود. دو نوع ترانزیستور مورد مطالعه قرارگرفته است که در یک حالت اسپین داخل سورس و درین با هم موازی و هم ‌جهت هستند و در حالت دیگر اسپین داخل سورس و درین با هم پاد موازی هستند.

سایر اخبار

تقدیر از مدیران گروه‌های آموزشی و اجرایی در جلسه شورای دانشگاه

2024 07 20
به گزارش روابط عمومی دانشگاه، جلسه شورای دانشگاه با حضور ریاست، مسئول دفتر نهاد نمایندگی مقام معظم رهبری در دانشگاه و معاونین برگزار و مراسم تکریم مدیران گروه‌های آموزشی و مدیران اجرایی اسبق دانشگاه انجام شد.

افتخار آفرینی دانشگاه صنعتی همدان با کسب ۳ مقام برتر در جشنواره کرسی‌های آزاداندیشی دانشگاه‌های کشور

2024 07 13
دانشگاه صنعتی همدان در سومین جشنواره ملی برهان دانشگاه‌های کشور ویژه کرسی‌های آزاد اندیشی با کسب ۳ رتبه ملی درخشید.

برگزاری دوره ماشین های الکتریکی کارکنان شرکت مدیریت تولید برق شهید مفتح در دانشگاه صنعتی همدان

2024 07 12
به گزارش دفتر روابط عمومی، دوره  ماشین های الکتریکی  از دوره های مرکز جامع صلاحیت حرفه ای صنعت آب و برق با کد 3139 به مدت 32 ساعت  در 3 گروه در تاریخ های 9 الی 19 تیر ماه به صورت تئوری و عملی و با تدریس دکتر سید محمد مهدی موسوی از اعضای هیات علمی گروه مهندسی برق توسط مرکز آموزش آزاد و مجازی برای کارکنان شرکت مدیریت برق شهید مفتح با ظرفیت 58...
افزودن نظرات