گروه  مهندسی برق

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

بررسی خواص الکترونیکی ماده  GaSeCl   دولایه تحت تنش دو محوره

ارائه دهنده: حامد طاهری

زمان:  30/7/1402                                        ساعت: 17:30                                                 مکان: کلاس 112 ساختمان فرشچیان

استاد راهنما:   دکتر سید منوچهر حسینی              مرتبه علمی: استاد یار            دانشگاه: بوعلی سینا

     استاد داور داخلی: دکتر شعیب بابایی توسکی            مرتبه علمی:  استادیار           دانشگاه:صنعتی همدان

استاد داور خارجی:   دکتر حمید رضا شاهدوستی        مرتبه علمی:استاد یار        دانشگاه:صنعتی همدان

چکیده:

ماده دوبعدی GaSeCl یک نمونه جدید از مواد نیمه‌رسانا با ساختار لایه ‌ای است که از جنس گالیوم، سولفور و کلر تشکیل شده است. در این پایان‌نامه، خواص الکترونیکی این ماده تحت تأثیر تنش کششی و فشاری  به صورت دولایه مورد بررسی قرار می‌گیرد. هدف اصلی این تحقیق، بررسی تأثیر اعمال تنش بر روی خواص الکترونیکی ماده دوبعدی GaSeCl است.

از طریق شبیه ‌سازی‌ها، نشان داده می‌شود که با اعمال تنش، ساختار باند ماده دوبعدی GaSeCl  چه تغییراتی می‌کند و خواص الکترونیکی آن به طور قابل توجهی تغییر می‌یابد. این نتایج به ما درک بهتری از رفتار الکترونیکی ماده دوبعدی GaSeCl تحت تأثیر تنش می‌دهد و ارتباط آن با خواص الکترونیکی را روشن می‌سازد.

به طور خلاصه، این پایان‌ نامه به بررسی خواص الکترونیکی ماده دوبعدی و دولایه GaSeCl تحت تأثیر تنش می‌پردازد که این بررسی برای اولین بار است که انجام می شود و تا کنون به صورت دولایه مورد بررسی قرار نگرفته است. اثر این تنش ها بر ثابت شبکه، ساختار باند، شکاف انرژی و جرم موثر و اثرات آنها بر خواص الکترونیکی و نوری تاثیر می گذارد.  بنا بر این بررسی اثر تنش از اهمیت بالایی برخوردار است. این تحقیقات می‌توانند به توسعه و بهبود فناوری‌های الکترونیکی بر پایه مواد دوبعدی کمک کنند.

کلمات کلیدی: ماده دوبعدی،GaSeCl ، تنش، شبیه سازی، ساختار الکترونیکی، دولایه

​​​​​​​