اطلاعیه دفاع دانشجوی کارشناسی ارشد – فرهاد حیدری

اطلاعیه دفاع دانشجوی کارشناسی ارشد – فرهاد حیدری

بسمه تعالی

 

 

گروه مهندسی برق مدارهای مجتمع الکترونیک

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

 

مطالعه‌ی ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر نانو نوار تک لایه‌ی آنتیموان

 

ارائه دهنده : فرهاد حیدری

 

زمان : چهارشنبه ۱۳/۱۲/۹۹  ساعت ۱۱                                       مکان : http://lms.hut.ac.ir/devicedefence/

استاد راهنما : دکتر شعیب بابایی توسکی

مرتبه علمی : استادیار      دانشگاه : صنعتی همدان

     استاد داور داخلی : دکتر شهریار جاماسب                                استاد داور خارجی : دکتر منوچهر حسینی پیلانگرگی

مرتبه علمی : استادیار        دانشگاه : صنعتی همدان                 مرتبه علمی : استادیار           دانشگاه : بوعلی سینا             

                      

چکیده :

در این پایان‌نامه خواص الکترونیکی یک ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر تک لایه آنتیمونینه مورد مطالعه قرار می‌گیرد که از روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده می‌کنیم. پارامترهای مورد نیاز تابع گرین از روش بستگی سخت استفاده ‌شده است. با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی جریان ترانزیستور برحسب ولتاژ درین و گیت محاسبه می‌شود. دو نوع ترانزیستور مورد مطالعه قرارگرفته است که در یک حالت اسپین داخل سورس و درین با هم موازی و هم ‌جهت هستند و در حالت دیگر اسپین داخل سورس و درین با هم پاد موازی هستند.

اطلاعیه دفاع دانشجوی کارشناسی ارشد – فرهاد حیدری

اطلاعیه دفاع دانشجوی کارشناسی ارشد – فرهاد حیدری

بسمه تعالی

 

 

گروه مهندسی برق مدارهای مجتمع الکترونیک

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

 

مطالعه‌ی ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر نانو نوار تک لایه‌ی آنتیموان

 

ارائه دهنده : فرهاد حیدری

 

زمان : چهارشنبه ۱۳/۱۲/۹۹  ساعت ۱۱                                       مکان : http://lms.hut.ac.ir/devicedefence/

استاد راهنما : دکتر شعیب بابایی توسکی

مرتبه علمی : استادیار      دانشگاه : صنعتی همدان

     استاد داور داخلی : دکتر شهریار جاماسب                                استاد داور خارجی : دکتر منوچهر حسینی پیلانگرگی

مرتبه علمی : استادیار        دانشگاه : صنعتی همدان                 مرتبه علمی : استادیار           دانشگاه : بوعلی سینا             

                      

چکیده :

در این پایان‌نامه خواص الکترونیکی یک ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر تک لایه آنتیمونینه مورد مطالعه قرار می‌گیرد که از روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده می‌کنیم. پارامترهای مورد نیاز تابع گرین از روش بستگی سخت استفاده ‌شده است. با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی جریان ترانزیستور برحسب ولتاژ درین و گیت محاسبه می‌شود. دو نوع ترانزیستور مورد مطالعه قرارگرفته است که در یک حالت اسپین داخل سورس و درین با هم موازی و هم ‌جهت هستند و در حالت دیگر اسپین داخل سورس و درین با هم پاد موازی هستند.

افزودن نظرات