اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد، مهتاب کرمی شبانکاره

بسمه تعالی

 

 

گروه مهندسی مواد

 

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

 

ساخت نانوسیم‌های چندلایه مواد مغناطیسی و غیر مغناطیسی و بررسی مورفولوژی و خواص مغناطیسی

 

ارائه دهنده: مهتاب کرمی شبانکاره

  زمان: چهارشنبه ۶/۱۲/۱۳۹۹ ساعت ۱۳

http://lms.hut.ac.ir/rnwa6su123pw/‏                               به صورت غیر حضوری            لینک جلسه:

 

استاد راهنما: دکتر اکبر حیدرپور                                                         استاد راهنما: دکتر مژگان نجفی                                                

   مرتبه علمی: دانشیار    دانشگاه: صنعتی همدان                                مرتبه علمی: استادیار   دانشگاه: صنعتی همدان

     استاد داور داخلی: دکتر صمد قاسمی                                                    استاد داور خارجی: دکتر مجتبی مظاهری

   مرتبه علمی: استادیار دانشگاه: صنعتی همدان                                             مرتبه علمی:  استادیار دانشگاه: صنعتی همدان                                                                                                                                                              

چکیده: در این تحقیق، با استفاده از روش الکتروانباشت مستقیم تک حمامی درون نانوحفره‌های قالب آلومینای آندی آرایه‌های نانوسیم‌های چند لایه Ni/Cu با قطر ۳۵ و ۷۰ نانومتر ساخته شد. سرعت رشد لایه‌های نیکل و مس و طلا به ترتیب در پتانسیل‌های ۴/۰ ،۱/۱ و ۴/۲ ولت در قالب با قطر ۷۰ نانومتر به ترتیب۴۴/۰و ۳۸/۰ و۳۳/۰ نانومتر برثانیه تعیین شد. در نانوسیم‌های با قطر ۳۵ نانومتر، ضخامت لایه مغناطیسی نیکل ۵۲۸ نانومتر ثابت و ضخامت لایه مس از ۲۰ تا ۱۸۰ نانومتر با تغییر زمان انباشت لایه مس در حال تغییر است. بررسی حلقه‌ای پسماند با اعمال میدان موازی (OPP) و عمود بر نانوسیم‌ها (IP) نشان می‌دهد در این نانوسیم‌های نرم مغناطیسی وادارندگی و نسبت مربعی در حالت اعمال میدان موازی کمی بیشتر از این مقادیر در حالت اعمال میدان عمود بر نانوسیم است. وادارندگی و نسبت مربعی با افزایش ضخامت مس تغییرات ملایم و افزایشی دارد. ضریب پذیرفتاریχ OPP و χ IPدر نزدیکی میدان وادارندگی به ترتیب از ۶/۳ تا ۱۰ و از ۴/۲ تا ۶/۹ با افزایش ضخامت لایه مس تغییر می‌کند. با افزایش ضخامت لایه مس برهم‌کنش‌های مغناطواستاتیکی بین لایه‌های نیکل کاهش می‌یابد. نانوسیم‌های چند لایه Ni/Cu با قطرهای ۳۵ و ۷۰ نانومتر و ضخامت مس یکسان (۲۰نانومتر) و ضخامت‌های نیکل به ترتیب ( ۵۲۸ و ۲۶۴ نانومتر) ساخته شد. مغناطش اشباعMs  در نمونه با قطر بیشتر به دلیل بالابودن ضریب تخلخل قالب ۳ برابراست. پذیرفتاری مغناطیسی χ OPP نانوسیم با ضخامت نیکل (۵۲۸نانومتر و ۲۶۴ نانومتر) به ترتیب برابر با ۶/۳ و ۹/۸ است. تغییرات پذیرفتاری نشان می‌دهد که برهم‌کنش­های مغناطواستایک بین سیم‌ها با افزایش ضخامت لایه مغناطیسی بطور چشمگیری افزایش یافته است.

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد، مهتاب کرمی شبانکاره

بسمه تعالی

 

 

گروه مهندسی مواد

 

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

 

ساخت نانوسیم‌های چندلایه مواد مغناطیسی و غیر مغناطیسی و بررسی مورفولوژی و خواص مغناطیسی

 

ارائه دهنده: مهتاب کرمی شبانکاره

  زمان: چهارشنبه ۶/۱۲/۱۳۹۹ ساعت ۱۳

http://lms.hut.ac.ir/rnwa6su123pw/‏                               به صورت غیر حضوری            لینک جلسه:

 

استاد راهنما: دکتر اکبر حیدرپور                                                         استاد راهنما: دکتر مژگان نجفی                                                

   مرتبه علمی: دانشیار    دانشگاه: صنعتی همدان                                مرتبه علمی: استادیار   دانشگاه: صنعتی همدان

     استاد داور داخلی: دکتر صمد قاسمی                                                    استاد داور خارجی: دکتر مجتبی مظاهری

   مرتبه علمی: استادیار دانشگاه: صنعتی همدان                                             مرتبه علمی:  استادیار دانشگاه: صنعتی همدان                                                                                                                                                              

چکیده: در این تحقیق، با استفاده از روش الکتروانباشت مستقیم تک حمامی درون نانوحفره‌های قالب آلومینای آندی آرایه‌های نانوسیم‌های چند لایه Ni/Cu با قطر ۳۵ و ۷۰ نانومتر ساخته شد. سرعت رشد لایه‌های نیکل و مس و طلا به ترتیب در پتانسیل‌های ۴/۰ ،۱/۱ و ۴/۲ ولت در قالب با قطر ۷۰ نانومتر به ترتیب۴۴/۰و ۳۸/۰ و۳۳/۰ نانومتر برثانیه تعیین شد. در نانوسیم‌های با قطر ۳۵ نانومتر، ضخامت لایه مغناطیسی نیکل ۵۲۸ نانومتر ثابت و ضخامت لایه مس از ۲۰ تا ۱۸۰ نانومتر با تغییر زمان انباشت لایه مس در حال تغییر است. بررسی حلقه‌ای پسماند با اعمال میدان موازی (OPP) و عمود بر نانوسیم‌ها (IP) نشان می‌دهد در این نانوسیم‌های نرم مغناطیسی وادارندگی و نسبت مربعی در حالت اعمال میدان موازی کمی بیشتر از این مقادیر در حالت اعمال میدان عمود بر نانوسیم است. وادارندگی و نسبت مربعی با افزایش ضخامت مس تغییرات ملایم و افزایشی دارد. ضریب پذیرفتاریχ OPP و χ IPدر نزدیکی میدان وادارندگی به ترتیب از ۶/۳ تا ۱۰ و از ۴/۲ تا ۶/۹ با افزایش ضخامت لایه مس تغییر می‌کند. با افزایش ضخامت لایه مس برهم‌کنش‌های مغناطواستاتیکی بین لایه‌های نیکل کاهش می‌یابد. نانوسیم‌های چند لایه Ni/Cu با قطرهای ۳۵ و ۷۰ نانومتر و ضخامت مس یکسان (۲۰نانومتر) و ضخامت‌های نیکل به ترتیب ( ۵۲۸ و ۲۶۴ نانومتر) ساخته شد. مغناطش اشباعMs  در نمونه با قطر بیشتر به دلیل بالابودن ضریب تخلخل قالب ۳ برابراست. پذیرفتاری مغناطیسی χ OPP نانوسیم با ضخامت نیکل (۵۲۸نانومتر و ۲۶۴ نانومتر) به ترتیب برابر با ۶/۳ و ۹/۸ است. تغییرات پذیرفتاری نشان می‌دهد که برهم‌کنش­های مغناطواستایک بین سیم‌ها با افزایش ضخامت لایه مغناطیسی بطور چشمگیری افزایش یافته است.

افزودن نظرات